Shen Haijun
Deformación geométrica y estructuras electrónicas de un grafeno hexagonal bajo un campo eléctrico externo
Utilizando el método QMD (dinámica molecular cuántica), así como DFT (teoría de la función de densidad) a nivel B3LYP/6-31G*, se investigaron la deformación geométrica, la falla y las estructuras electrónicas de un grafeno hexagonal bajo un campo eléctrico externo. Se discutieron los efectos de la dirección del campo eléctrico en la deformación inducida eléctricamente, la distribución de la carga de polarización, el momento dipolar y los FMO (orbitales moleculares fronterizos) del grafeno. Se encontró que la deformación y la falla inducidas eléctricamente son más fáciles de ocurrir en el grafeno bajo un campo en la dirección del sillón que bajo un campo en la dirección del zigzag; bajo un campo eléctrico externo, la estabilidad química del grafeno empeora, pero a la misma intensidad del campo eléctrico, el grafeno bajo un campo en zigzag tiene una mejor estabilidad química que bajo un campo en el sillón; bajo un campo eléctrico, los sitios químicamente activos se transfieren a dos extremos del grafeno, donde el potencial eléctrico externo es más alto y más bajo, respectivamente.