Revista de nanomateriales y nanotecnología molecular

Estudio de la magnetorresistencia de túnel en un dispositivo magnetorresistivo sin uniones basado en nanocintas pasivadas de nitruro de galio en zigzag

Akanksha Thakur

Para investigar la propiedad magnetorresistiva de un dispositivo magnetorresistivo sin uniones (JMD), se utilizan cálculos de la teoría funcional de la densidad del primer principio junto con el método de la función de Green fuera del equilibrio (NEGF). En este trabajo se ha calculado la magnetorresistencia de nanocintas de nitruro de galio en zigzag pasivadas por los bordes (ZGaNNR). Aunque el nitruro de galio es un material no magnético, para longitudes pequeñas de hasta 1,7 nm muestra magnetismo. El resultado de este cálculo indica que la propiedad eléctrica de ZGaNNR se puede cambiar pasivando los bordes de las nanocintas con átomos de hidrógeno (H) y flúor (F). Al pasivar ambos bordes de las nanocintas con átomos de H y F, se obtiene un ZGaNNR semiconductor. Al pasivar el borde que consiste en átomos de galio con átomos de H y F, se obtiene un ZGaNNR semimetálico. Se puede construir un JMD pasivando bordes particulares de nanocintas; los electrodos deben ser semimetálicos y la región de dispersión central debe ser semiconductora. El JMD con pasivación H proporciona una magnetorresistencia (MR) más alta y una eficiencia de filtrado de espín mucho mejor en comparación con el JMD con pasivación F. La principal aplicación de este tipo de dispositivos es la fabricación de memorias de acceso aleatorio magnetorresistivas (MRAM).