Revista de Ingeniería Eléctrica y Tecnología Electrónica

Caracterización por microondas de una muestra de carburo de silicio en la banda ISM de 25 °C a 165 °C

Rammal W, Rammal J, Salameh F, Taoubi M, Fouany J, Alchaddoud A y Canale L

Este artículo presenta una caracterización por microondas en la banda ISM (2,45 GHz) para las propiedades dieléctricas de una muestra de carburo de silicio con alta tangente de pérdida de 25°C a 165°C. Se utilizaron diferentes técnicas para caracterizar la muestra de SiC: la técnica de cavidad resonante cilíndrica en modo de transmisión y reflexión, el resonador de anillo de microbanda y finalmente la microscopía de microondas de campo cercano. Los resultados obtenidos por la cavidad resonante cilíndrica (transmisión y reflexión) concuerdan bien, la permitividad relativa y la tangente de pérdida del SiC aumentan con la temperatura en un 48% y un 190% respectivamente entre 25°C y 165°C. Estas técnicas son precisas pero necesitan dos ciclos térmicos. Los resultados obtenidos por el resonador de anillo de microbanda son menos precisos que la cavidad resonante y el bajo factor de calidad (Q0=2,5) no permite determinar correctamente la parte imaginaria de la permitividad y, en consecuencia, la tangente de pérdida. Finalmente, la técnica de microscopía de microondas de campo cercano muestra una medición precisa con bajas incertidumbres en la parte real (<2%) e imaginaria (<5%) de la permitividad. Estos resultados concuerdan bien con las técnicas de cavidad resonante, sin embargo esta técnica necesita solo un ciclo térmico lo que permite ahorrar tiempo durante las mediciones.