Revista de Ingeniería Eléctrica y Tecnología Electrónica

Descripción general de la tecnología de carburo de silicio

Stephen B. Bayne y Bejoy N Pushpakaran

Descripción general de la tecnología de carburo de silicio

Después de varios años de investigación y desarrollo, el carburo de silicio ha emergido como un sucesor destacado del silicio convencional en el campo de la electrónica de potencia debido a sus ventajas excepcionales. El material de carburo de silicio mejora la eficiencia de los dispositivos semiconductores y también facilita el uso de dispositivos con un factor de forma mucho más pequeño. Las propiedades químicas y electrónicas del carburo de silicio se traducen en características que son útiles para semiconductores especialmente en aplicaciones de alta potencia. Estas características incluyen resistencia inherente a la radiación, capacidad de funcionamiento a alta temperatura, alta tensión y capacidad de manejo de potencia. El uso de SiC específicamente en las áreas de control industrial, energía y energía renovable (sector solar y eólico) también permite soluciones de refrigeración más pequeñas en el diseño del sistema. La electrónica de SiC también encuentra aplicaciones en vehículos eléctricos y vehículos eléctricos híbridos, control de tracción eléctrica, unidades de suministro de energía, aplicaciones fotovoltaicas, convertidores e inversores.