Revista de Ingeniería Eléctrica y Tecnología Electrónica

Estudio de gases electrónicos bidimensionales para heteroestructuras basadas en GaN

Rahman MS, Babuya SK, Mahfuz MA, Siddiki FBT y Mahmood ZH

Se investiga la densidad de portadores de láminas de gas de electrones bidimensionales (2DEG) para heteroestructuras AlGaN/GaN, AlN/GaN e InGaN/GaN utilizando un simulador de ecuación de Schrödinger-Poisson autoconsistente. La simulación también tiene en cuenta la física subyacente detrás de las características de la naturaleza de la densidad 2DEG. En el proceso se investiga la dependencia de la densidad 2DEG en la composición de la aleación, el espesor de la capa del canal y el cambio de voltaje de compuerta. Esta simulación muestra la comparación de la densidad de portadores de láminas 2DEG entre diferentes heteroestructuras. La densidad máxima de portadores de láminas 2DEG obtenida para AlGaN/GaN es 1,76×10 ¹³ cm ^-2 , para AlN/GaN es 2,16×10 ¹³ cm ^-2 y para InGaN/GaN es 1,82×10 ¹³ cm ^-2 sin ningún voltaje de polarización.